요약본 발명은 반도체 박막증착장비(유기 금속 화학 증착법, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여, n-형 실리콘 기판 상에 n-형 GaN 나노와이어를 증착한 후, 증착된 나노와이어의 무극성 표면에 결정 내 결함이 획기적으로 완화된 유사-양자점을 구비한 InGaN 양자 피라미드를 증착함으로써, III족-질화물계 기반 가시광 LED 구조체 응용에 접목시킬 수 있는 질화물 양자 피라미드 반도체 구조를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기존의 박막구조에서 발생할 수 있는 높은 격자 불일치 비율에 의해 야기되는 결정 내 결함을 최소화할 수 있다. 또한 점진적으로 감소하는 에너지 밴드 구조에 의해 극저결함 국소영역인 유사-양자점에서만 발광-재결합을 유도할 수 있어 내부양자효율을 증가시킬 수 있다. 나아가 III족-질화물계 반도체 물질만으로 가시광 파장대역의 전 영역을 구현할 수 있기에 RGB 간의 휘도 차이를 해소할 수 있음과 동시에, 사용되는 박막증착장비 운용에 대해 매우 용이한 장점이 있다.
대표 청구항질화물 양자 피라미드 반도체 구조의 제조 방법에 있어서, (a) 기판 위에 나노 직경의 GaN 나노와이어를 제작하는 단계; (b) 상기 나노와이어의 무극성 표면에 InxGa1-xN 양자 피라미드를 증착하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계는 제작 공정 동안 공정온도를 점진적으로 감소시켜 진행하는 것을 특징으로 하는 질화물 양자 피라미드 반도체 구조의 제조 방법.
