요약반도체 소자는, 기판 상의 상변화 물질층; 상기 상변화 물질층 상에 배치되어 상기 상변화 물질층 내 전하의 축적을 유도하는 게이트 전극; 및 상기 상변화 물질층 상에서 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격되는 한 쌍의 소스/드레인 전극들을 포함한다. 상기 상변화 물질층은 상기 게이트 전극에 전압이 인가됨에 따라 상기 전하의 축적에 의해 결정 구조가 변하는 상변화 영역을 포함한다.
대표 청구항기판 상의 상변화 물질층;상기 상변화 물질층 상에 배치되어 상기 상변화 물질층 내 전하의 축적을 유도하는 게이트 전극; 및상기 상변화 물질층 상에서 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격되는 한 쌍의 소스/드레인 전극들을 포함하되,상기 상변화 물질층은 상기 게이트 전극에 전압이 인가됨에 따라 상기 전하의 축적에 의해 결정 구조가 변하는 상변화 영역을 포함하는 반도체 소자.
