NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명의 일 실시예에 의한 DRAM 소자는 상면 및 상면에 수직하게 돌출된 돌출부를 포함하도록 마련되는 기판, 돌출부의 일측벽 상에 마련되는 제1 트랜지스터, 돌출부의 타측벽 상에 마련되는 제2 트랜지스터를 포함하고, 제1 트랜지스터의 드레인과 제2 트랜지스터의 게이트가 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.

대표 청구항

대표 도면

전략기술 분류 반도체
Semiconductor
출원번호 1020250058122 KIPRIS
출원일 2025-05-02
공개번호
공개일 2025-10-16
등록번호 1028724660000
등록일 2025-10-14
우선권 번호
우선권 국가
우선권 주장일
현재 상태
현재 권리자
IPC 코드 H10B 12/00|H10D 84/83|H10D 30/67