요약본 발명의 3차원 적층형 비휘발성 메모리 소자는 읽기 트랜지스터, 및 상기 읽기 트랜지스터의 상부에 적층된 쓰기 트랜지스터를 포함하는 메모리 셀; 상기 쓰기 트랜지스터의 게이트 단자에 접속되는 쓰기 워드라인; 상기 쓰기 트랜지스터의 소스 단자에 접속되는 쓰기 비트라인; 상기 읽기 트랜지스터의 소스 단자에 접속되는 읽기 워드라인; 및 상기 읽기 트랜지스터의 드레인 단자에 접속되는 읽기 비트라인;을 포함하고, 상기 읽기 트랜지스터는 리세스 채널(Recessed channel) 구조를 가지고, 상기 읽기 트랜지스터의 반도체층 및 게이트 전극 사이의 절연층은 강유전성 물질을 포함하고, 상기 읽기 트랜지스터의 반도체층은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다.
