요약비정질 p형 텔루륨 옥사이드 반도체층을 포함하는 메모리 셀 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 메모리 셀은 제1 반도체층을 포함하는 쓰기 n형 트랜지스터 및 제2 반도체층을 포함하는 읽기 p형 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 반도체층은 n형 반도체를 포함하고, 상기 제2 반도체층은 비정질 p형 반도체를 포함하는 것이고, 비휘발성 메모리 셀의 특성을 보여주며, 쓰기 n형 트랜지스터 및 읽기 p형 트랜지스터가 교대로 2층 또는 3층 이상의 복수층으로 수직으로 적층될 수 있다.
