NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명의 일 측면은, 기판; 상기 기판 상에 비자성층을 포함하는 스핀 궤도 토크 구조물; 및 상기 스핀 궤도 토크 구조물 상에 자유층, 터널 배리어 및 고정층을 포함하는 자기 터널 접합 패턴; 을 포함하며, 상기 스핀 궤도 토크 구조물은, 상기 자유층과 상기 스핀 궤도 토크 구조물의 계면으로부터 내측으로 산소를 포함하는 계면 산화 영역을 포함하는 자기 메모리 소자를 제공한다.

대표 청구항

대표 도면

전략기술 분류 반도체
Semiconductor
출원번호 1020250129325 KIPRIS
출원일 2025-09-10
공개번호 1020250141655
공개일 2025-09-29
등록번호
등록일
우선권 번호
우선권 국가
우선권 주장일
현재 상태
현재 권리자
IPC 코드 H10N 50/10|H10N 50/80|H10B 61/00|G11C 11/16