NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명은, 상면으로부터 제1 방향으로 돌출되며, 서로 이격되는 돌출부들을 포함하는 기판; 상기 기판의 상면을 따라 배치되는 제1 버퍼층; 및 상기 제1 버퍼층 상에 배치되는 자성체층; 을 포함하고, 상기 자성체층은 상기 돌출부들을 따라 절곡되는 나노 구조 영역을 포함하는 자기 메모리 장치를 제공한다.

대표 청구항

대표 도면

전략기술 분류 반도체
Semiconductor
출원번호 1020250130130 KIPRIS
출원일 2025-09-11
공개번호 1020250143072
공개일 2025-09-30
등록번호
등록일
우선권 번호
우선권 국가
우선권 주장일
현재 상태
현재 권리자
IPC 코드 H10N 50/10|H10N 50/80|H10N 50/85|H10B 61/00|G11C 11/16