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이전 논리값에 따라 다른 출력을 가지는 양극성 반도체 소자에 기반한 로직-인-메모리 논리회로 소자
- 기술 세부내용 실시예들은 제1 반도체 소자 및 제2 반도체 소자 각각은, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 소스 전극, 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성된 자기조립단층, 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 접촉하도록 형성된 채널층을 포함하고, 상기 채널층은 양극성 채널을 가지는, 제1 반도체 소자, 제2 반도체 소자를 포함한 논리회로 소자 및 상기 논리회로 소자를 위한 반도체 소자를 제조하는 방법에 관련된다.
- 첨부 파일
- 지재권 구분 특허
- 전략기술 분류 고집적, 저항기반 메모리
- 특허 출원번호 10-2022-0085155 KIPRIS
- IPC 코드
- 특허 출원일
- 특허 등록번호
- TRL 단계
- 연구실 홈페이지 https://sites.google.com/view/sdclab



















































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